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    國產存儲芯片達到國際領先水平,制造再上層樓

    日期 : 2020-04-26

    據媒體報道指國產存儲芯片企業長江存儲已開發出128層的NAND flash存儲芯片,這是當前國際存儲芯片企業正在投產的NAND flash技術,意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。

    中國是全球最大的制造國,制造了全球超過七成的手機,其他PC、平板電腦等電子產品也有很大比例在中國生產,因此中國對芯片的需求極大,據悉中國采購的芯片占全球芯片市場的份額超過五成,采購的芯片金額甚至超過石油。

     存儲芯片正中國進口的主要芯片之一,估計中國采購的存儲芯片占全球存儲芯片的比例超過五分之一。然而在2019年以前,中國幾乎沒有生產存儲芯片,全球的存儲芯片主要由韓國、日本、美國生產,中國對全球存儲芯片的依賴性非常高。

     為改變這一局面,中國努力推進存儲芯片的研發和生產,2018年長江存儲生產出第一代NAND flash存儲芯片,2019年合肥長鑫生產出DDR內存芯片,中國終于在存儲芯片行業邁出了第一步。

     長江存儲雖然在2018年開始投產NAND flash存儲芯片,然而其時它生產的NAND flash存儲芯片僅是32層,而當時全球主流的NAND flash存儲芯片技術為64層,長江存儲也認識到自己在技術上的落后,因此32層NAND flash存儲芯片并沒有大規模生產,而僅為錘煉生產技術,并提升研發人員的技術水平。

    2019年長江存儲研發出64層NAND flash存儲芯片,追上了全球NAND flash存儲芯片的主流技術水平,它開始大規模投產NAND flash存儲芯片。此時中國才真正實現了部分NAND flash存儲芯片的自給,不過其時由于長江存儲才開始規?;a,國內市場的NAND flash存儲芯片還是主要由國外供應。

     目前長江存儲研發出128層NAND flash,預計該項技術的NAND flash存儲芯片將很快投入量產,而目前海外存儲芯片也正在推進128層NAND flash存儲芯片的量產,這意味著中國的NAND flash存儲芯片在技術上已接近國際領先水平。

     推動長江存儲快速提升NAND flash存儲芯片技術離不開國內企業的支持,其中就包括華為。2019年華為被美國列入實體清單,美國存儲芯片企業美光與華為的合作受阻,華為迅速與長江存儲合作研發NAND flash存儲芯片,早在數年前華為就已研發SSD控制芯片,在存儲芯片技術上有一定積累,而且它是全球第二大手機企業、前五大服務器廠商,對NAND flash存儲芯片有很大的需求,華為的支持也加快了長江存儲研發更先進的NAND flash存儲芯片技術的腳步。
       
    中國自改革開放以來主要是依靠來料加工的方式發展經濟,直到2007年之前加工貿易占中國貿易的比例還超過五成,自那之后加工貿易占中國貿易的比例逐漸下降至近年的三成左右,機電、通信等高技術產品占中國出口的比例逐漸提升,凸顯出中國制造正逐漸往高端制造業爬升。
       
    中國在NAND flash存儲芯片技術上僅僅數年時間就接近國際先進水平,對于中國制造業來說無疑是非常重大的技術進展,代表著中國制造在數十年的努力下終于形成高度完善的產業鏈,擁有了深厚的技術積累,厚積薄發,迅速突破,代表著中國制造向中國創造轉變再上層樓。

    文章轉載自:21世紀電源網

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